Transistor experimental alcanza los 500 GHz

IBM y el Instituto Tecnológico de Georgia han desarrollado un transistor SiGe que funciona a 500 GHz cerca del cero absoluto.

Los transistores son los elementos principales de los procesadores que se encuentran en casi todos los dispositivos electrónicos, desde supercomputadoras hasta teléfonos celulares.

El transistor desarrollado por IBM y el Tec de Georgia alcanzó una velocidad de 500,000,000,000 Herzios, lo que significa que es 250 veces más rápido que los chips usados en celulares y 100 veces más que cualquier chip de la computadora más potente de hoy en día. Esta velocidad se alcanzó bajo una temperatura cerca del cero absoluto, a temperatura ambiente el dispositivo funcionaría a unos 350 GHz.

El transistor en cuestión no es el típico dispositivo de silicio, sino que fue sometido a un proceso nanotecnológico mediante el cual se le insertaron capas alternas de germanio, para así constituir transistores SiGe (Silicio+Germanio), por lo que se trata de dispositivos de cuarta generación. Dado que éstos dispositivos generan demasiado calor al operar, el transistor experimental se colocó dentro de una cámara criogénica especial que redujo la temperatura hasta 4.5 grados Kelvin (–268.6 ºC) utilizando helio líquido como refrigerante. Fue necesario diseñar equipo especial incluso para medir el desempeño de los dispositivos a temperaturas así de bajas.

Los circuitos SiGe de ultra-alta frecuencia tienen potenciales aplicaciones en muchos sistemas de comunicación incluyendo teléfonos celulares, GPS, redes ópticas, así como en sistemas de defensa, plataformas electrónicas espaciales, y sistemas de sensores remotos.

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